MOSFET, Tipo N-Canal Infineon 2N7002H6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 300 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
752-7773
Número de artículo Distrelec:
304-45-298
Nº ref. fabric.:
2N7002H6327XTSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

300mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Anchura

1.3 mm

Longitud

2.9mm

Estándar de automoción

No

MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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