MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
214-4475
Nº ref. fabric.:
SN7002NH6327XTSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Serie

SIPMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

60 V

Disipación de potencia máxima Pd

0.36W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.5nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, AEC Q101

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon SIPMOS de señal pequeña es ideal para aplicaciones de automoción con limitación de espacio o no de automoción. Se pueden encontrar en casi todas las aplicaciones, por ejemplo, protección de batería, carga de batería, iluminación LED, etc.

No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21

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