MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
214-4336
Nº ref. fabric.:
BSS7728NH6327XTSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SIPMOS

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

0.36W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Anchura

1.4 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Este MOSFET Infineon SIPMOS de señal pequeña es ideal para aplicaciones de automoción con limitación de espacio o no de automoción. Se pueden encontrar en casi todas las aplicaciones, por ejemplo, protección de batería, carga de batería, iluminación LED, etc.

No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21

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