MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS7728NH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4337
- Nº ref. fabric.:
- BSS7728NH6327XTSA2
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | 0,085 € | 17,00 € |
| 400 - 800 | 0,081 € | 16,20 € |
| 1000 - 1800 | 0,078 € | 15,60 € |
| 2000 - 4800 | 0,074 € | 14,80 € |
| 5000 + | 0,06 € | 12,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4337
- Nº ref. fabric.:
- BSS7728NH6327XTSA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 200mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.36W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 200mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.36W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Este MOSFET Infineon SIPMOS de señal pequeña es ideal para aplicaciones de automoción con limitación de espacio o no de automoción. Se pueden encontrar en casi todas las aplicaciones, por ejemplo, protección de batería, carga de batería, iluminación LED, etc.
No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21
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