MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 25 V, ID 40 A, TISON-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
214-8976
Nº ref. fabric.:
BSC0910NDIATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

TISON-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Tensión directa Vf

0.87V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1

Anchura

6 mm

Altura

1.1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

La gama Infineon de productos OptiMOS está disponible en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación. Los MOSFET OptiMOS de canal N dobles se suministran sin halógenos conforme a IEC61249-2-21 y chapado de cable sin plomo; Conforme a RoHS.

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