MOSFET Infineon, Tipo N-Canal BSG0810NDIATMA1, VDSS 25 V, ID 50 A, TISON-8 de 8 pines, 2
- Código RS:
- 242-0301
- Nº ref. fabric.:
- BSG0810NDIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
4,61 €
(exc. IVA)
5,578 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 22 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,305 € | 4,61 € |
| 20 - 48 | 2,075 € | 4,15 € |
| 50 - 98 | 1,93 € | 3,86 € |
| 100 - 198 | 1,795 € | 3,59 € |
| 200 + | 1,66 € | 3,32 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 242-0301
- Nº ref. fabric.:
- BSG0810NDIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | TISON-8 | |
| Serie | BSG0810NDI | |
| Número de pines | 8 | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.25W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado TISON-8 | ||
Serie BSG0810NDI | ||
Número de pines 8 | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.25W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El bloque de alimentación Infineon es un MOSFET OptiMOS 5 de canal N asimétrico doble. Se trata de un diodo Schottky integrado monolítico.
Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21
Chapado de cable sin plomo y conforme a RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon VDSS 25 V TISON-8 de 8 pines, 2
- MOSFET VDSS 25 V N, PG-TISON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V N, PG-TISON-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon VDSS 25 V TISON-8 2, config. Doble
- MOSFET Infineon VDSS 25 V TISON-8 2, config. Doble
- MOSFET VDSS 30 V N, PG-TISON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V N, PG-TISON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V N, TSDSON de 8 pines