MOSFET Infineon, N-Canal BSG0810NDIATMA1, VDSS 25 V, ID 50 A, TISON-8 de 8 pines, 2

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Código RS:
242-0301
Nº ref. fabric.:
BSG0810NDIATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

TISON-8

Serie

BSG0810NDI

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Disipación de potencia máxima Pd

6.25W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.4nC

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El bloque de alimentación Infineon es un MOSFET OptiMOS 5 de canal N asimétrico doble. Se trata de un diodo Schottky integrado monolítico.

Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21

Chapado de cable sin plomo y conforme a RoHS

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