MOSFET Infineon, N-Canal, VDSS 25 V, ID 50 A, TISON-8 de 8 pines, 2
- Código RS:
- 242-0300
- Nº ref. fabric.:
- BSG0810NDIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 242-0300
- Nº ref. fabric.:
- BSG0810NDIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | TISON-8 | |
| Serie | BSG0810NDI | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.25W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado TISON-8 | ||
Serie BSG0810NDI | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.25W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El bloque de alimentación Infineon es un MOSFET OptiMOS 5 de canal N asimétrico doble. Se trata de un diodo Schottky integrado monolítico.
Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21
Chapado de cable sin plomo y conforme a RoHS
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