MOSFET Infineon, Tipo N-Canal BSC0910NDIATMA1, VDSS 25 V, ID 40 A, TISON-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 214-8977
- Nº ref. fabric.:
- BSC0910NDIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,607 € | 16,07 € |
| 50 - 90 | 1,526 € | 15,26 € |
| 100 - 240 | 1,494 € | 14,94 € |
| 250 - 490 | 1,40 € | 14,00 € |
| 500 + | 1,302 € | 13,02 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-8977
- Nº ref. fabric.:
- BSC0910NDIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TISON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión directa Vf | 0.87V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Anchura | 6 mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TISON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión directa Vf 0.87V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Anchura 6 mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
La gama Infineon de productos OptiMOS está disponible en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación. Los MOSFET OptiMOS de canal N dobles se suministran sin halógenos conforme a IEC61249-2-21 y chapado de cable sin plomo; Conforme a RoHS.
Diodo Schottky integrado monolítico
Optimizado para convertidores reductores de alto rendimiento
100 % a prueba de avalancha
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