MOSFET Infineon IRF6616TRPBF, VDSS 40 V, ID 106 A, DirectFET ISOMETRIC

Infineon combina la última tecnología de MOSFET de potencia HEXFET de automoción con la Advanced plataforma de encapsulado para lograr una baja pérdida de conmutación y estado de conexión combinada en un encapsulado que tiene el tamaño de UN perfil SO-8 y solo 0,7 mm. El encapsulado es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y fase de vapor, técnicas de soldadura por convección o infrarrojos, etc. el encapsulado permite refrigeración de doble cara para maximizar la transferencia térmica en sistemas de potencia, mejorando la mejor resistencia térmica anterior en un 80 %.

Pérdidas de conmutación y conducción bajas
Optimizado para conmutación de alta frecuencia