MOSFET Infineon IPD100N06S403ATMA2, VDSS 60 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines
- Código RS:
- 215-2501
- Nº ref. fabric.:
- IPD100N06S403ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
2500 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)
0,908 €
(exc. IVA)
1,099 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,908 € | 2.270,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2501
- Nº ref. fabric.:
- IPD100N06S403ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El transistor de potencia Infineon OptiMOS®-T2 tiene tensión de fuente de drenaje máxima de 100V, canal N, MOSFET de automoción, con encapsulado DPAK(TO-252).
Canal N - Modo de mejora
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
RDSon muy bajo
ID ultra alto
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
RDSon muy bajo
ID ultra alto
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 100 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Serie | OptiMOS™ -T2 |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.0035 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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