MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 27 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
215-2505
Nº ref. fabric.:
IPD33CN10NGATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

27A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS 2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

33mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

58W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 100V de Infineon ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta densidad de potencia y alta eficiencia. Comparada con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30 % tanto en R DS(on) como en FOM (factor de mérito).

Canal N, nivel normal

Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)

RDS(on) de muy baja resistencia

Chapado de cable sin plomo

Homologado según JEDEC para aplicación de destino

Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona

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