MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 27 A, TO-252
- Código RS:
- 218-3110
- Nº ref. fabric.:
- IRFR4105TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 0,372 € | 744,00 € |
| 4000 + | 0,353 € | 706,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 218-3110
- Nº ref. fabric.:
- IRFR4105TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 27A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Tensión directa Vf | 0.045V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 27A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Tensión directa Vf 0.045V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon de potencia de canal N serie HEXFET 55V. Utiliza técnicas Advanced Processing para lograr la resistencia de conexión más baja posible por área de silicio. Este MOSFET está diseñado para montaje en superficie mediante técnicas de soldadura por ola, infrarrojos o fase de vapor.
Resistencia de encendido ultrabaja
Conmutación rápida
Sin cables