MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R099P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 215-2539
Nº ref. fabric.:: IPP60R099P7XKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R099P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
5 - 20	3,72 €	18,60 €
25 - 45	3,124 €	15,62 €
50 - 120	2,94 €	14,70 €
125 - 245	2,716 €	13,58 €
250 +	2,53 €	12,65 €

*precio indicativo

Código RS:: 215-2539
Nº ref. fabric.:: IPP60R099P7XKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	31A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Serie	CoolMOS P7
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	99mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	45nC
	Disipación de potencia máxima Pd	117W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	0.9V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	4.57mm
	Longitud	10.36mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 31A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Serie CoolMOS P7
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 99mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC
	Disipación de potencia máxima Pd 117W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 0.9V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 4.57mm
	Longitud 10.36mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie P7, corriente de drenaje continua de 31 A, tensión de fuente de drenaje de 600 V - IPP60R099P7XKSA1

Este MOSFET es un componente de potencia de alto rendimiento diseñado específicamente para aplicaciones de alta tensión. Con una corriente de drenaje continua máxima de 31 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 600 V, está alojado en un encapsulado TO-220, lo que lo hace adecuado para el montaje a través de orificios. Sus excepcionales especificaciones lo hacen ideal para diseños electrónicos avanzados en diversos sectores.

Características y ventajas

• Adecuado tanto para conmutación en duro como en blando

• Reduce significativamente las pérdidas por conmutación y conducción

• Excelente diodo de cuerpo robusto para conmutación dura

• Alta protección ESD superior a 2 kV para un rendimiento fiable

• La configuración en modo de mejora simplifica el diseño de circuitos

Aplicaciones

• Ideal para etapas PFC (corrección del factor de potencia)

• Se utiliza en PWM (modulación por ancho de pulsos) de conmutación dura

• Aplicable en etapas de conmutación resonante para diversos componentes electrónicos

• Apto para adaptadores y televisores LCD/PDP

• Se utiliza en soluciones de iluminación, equipos de servidor y sistemas de telecomunicaciones

¿Qué significa el bajo valor de RDS(on) en este dispositivo?

Un bajo valor RDS(on) de 0,099 ohmios minimiza las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia de la conversión de potencia en aplicaciones en las que la generación de calor es una preocupación.

¿Cómo influye su rango de temperatura de trabajo en su rendimiento?

Funciona eficazmente entre -55 °C y +150 °C, por lo que garantiza fiabilidad y estabilidad incluso en condiciones extremas, lo que la hace adecuada para diversos entornos.

¿Puede utilizarse en configuraciones paralelas?

Sí, para las configuraciones en paralelo, se suele recomendar el uso de perlas de ferrita en la puerta o de tótems separados para evitar la oscilación y garantizar un funcionamiento estable.