MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM033NB04CR, VDSS 40 V, ID 121 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9652
- Nº ref. fabric.:
- TSM033NB04CR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
24,40 €
(exc. IVA)
29,50 €
(inc.IVA)
Añade 40 unidades para conseguir entrega gratuita
Está siendo descatalogado
- Últimas 5000 unidad(es) disponibles desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 2,44 € | 24,40 € |
| 50 - 90 | 2,389 € | 23,89 € |
| 100 - 240 | 2,196 € | 21,96 € |
| 250 - 990 | 2,152 € | 21,52 € |
| 1000 + | 1,993 € | 19,93 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 216-9652
- Nº ref. fabric.:
- TSM033NB04CR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 121A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TSM025 | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 36W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.05mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Anchura | 3.81 mm | |
| Certificaciones y estándares | WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 121A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TSM025 | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 36W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.05mm | ||
Longitud 6mm | ||
Anchura 3.81 mm | ||
Certificaciones y estándares WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PDFN56 de 8 pines