MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM033NB04LCR, VDSS 40 V, ID 121 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9654
- Nº ref. fabric.:
- TSM033NB04LCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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*precio indicativo
- Código RS:
- 216-9654
- Nº ref. fabric.:
- TSM033NB04LCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 121A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TSM025 | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 36W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.05mm | |
| Anchura | 3.81 mm | |
| Certificaciones y estándares | WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21 | |
| Longitud | 6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 121A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TSM025 | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 36W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.05mm | ||
Anchura 3.81 mm | ||
Certificaciones y estándares WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21 | ||
Longitud 6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
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