MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM033NB04LCR, VDSS 40 V, ID 121 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines

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Código RS:
216-9654
Nº ref. fabric.:
TSM033NB04LCR
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
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Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

121A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

40nC

Disipación de potencia máxima Pd

36W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6mm

Certificaciones y estándares

WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21

Altura

1.05mm

Estándar de automoción

No

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

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