MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 30 V, ID 73 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.035,00 €

(exc. IVA)

1.252,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 2500 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,414 €1.035,00 €

*precio indicativo

Código RS:
216-9673
Nº ref. fabric.:
TSM080N03PQ56
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

73A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TSM025

Encapsulado

PDFN56

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

69W

Temperatura de funcionamiento máxima

155°C

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Altura

1mm

Anchura

5 mm

Longitud

6mm

Estándar de automoción

No

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG

Enlaces relacionados