MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN70R600P7SXKSA1, VDSS 700 V, ID 8.5 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2502
- Nº ref. fabric.:
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
5,92 €
(exc. IVA)
7,16 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 400 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,296 € | 5,92 € |
| 100 - 180 | 0,231 € | 4,62 € |
| 200 - 480 | 0,216 € | 4,32 € |
| 500 - 980 | 0,202 € | 4,04 € |
| 1000 + | 0,187 € | 3,74 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2502
- Nº ref. fabric.:
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 82W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 29.87mm | |
| Longitud | 16.1mm | |
| Anchura | 4.8 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 82W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 29.87mm | ||
Longitud 16.1mm | ||
Anchura 4.8 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie MOSFET de superunión Infineon 700V CoolMOS™ P7 se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo ganancias de rendimiento fundamentales en comparación con las tecnologías de superunión utilizadas actualmente. Al combinar la retroalimentación de los clientes con más de 20 años de experiencia en MOSFET de superunión, el CoolMOS™ P7 700V permite el mejor ajuste para aplicaciones de destino en términos de eficiencia y térmicas comportamiento EMI de facilidad de uso.
FOM R R DS(on) x E OSS extremadamente bajo; Bajar Q g, E on y E OFF
Tecnología de alto rendimiento
Pérdidas de conmutación bajas (E OSS)
Muy eficaz
Excelente comportamiento térmico
Permite conmutación de alta velocidad
Diodo Zener de protección integrada
V (GS)th optimizado de 3V con tolerancia muy estrecha de ±0,5 V.
Cartera finamente graduada
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 700 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-251 de 3 pines