MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.5 A, SOT-223 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

900,00 €

(exc. IVA)

1.080,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 - 30000,30 €900,00 €
6000 +0,285 €855,00 €

*precio indicativo

Código RS:
218-3064
Nº ref. fabric.:
IPN70R600P7SATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

700V CoolMOSª P7

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

6.9W

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.7 mm

Longitud

6.7mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.8mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon de potencia de canal N CoolMOS™ 700V. La nueva CoolMOS™ P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones de consumo sensibles a costes como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc. la nueva serie ofrece todas las ventajas de un MOSFET SuperJunction de conmutación rápida, combinado con una excelente relación precio/rendimiento y un nivel de facilidad Art.

Pérdidas extremadamente bajas debido a un FOM RDS(on)*QG and muy bajo RDS(on)*Eoss

Excelente comportamiento térmico

Diodo de protección ESD integrado

Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)

Enlaces relacionados