MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
217-2509
Nº ref. fabric.:
IPB80N04S2H4ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

129W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.31mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.57mm

Anchura

9.45 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon 40V, N-Ch, 3,7 MΩ máx., MOSFET de automoción, D2PAK, Optimización

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101 para automoción

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

RDS(on) ultrabajo

Prueba de avalancha al 100 %

Producto ecológico (compatible con RoHS)

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