MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD80R2K7C3AATMA1, VDSS 800 V, ID 2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
217-2532
Nº ref. fabric.:
IPD80R2K7C3AATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.7Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

42W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

La tecnología Infineon CoolMOS™ C3A se ha diseñado para satisfacer las crecientes demandas de tensiones de sistema superiores en el área de vehículos eléctricos, como PHEVs y BEV.

La mejor calidad y fiabilidad de su clase

Mayor tensión de ruptura

Capacidad de corriente de pico alta

Certificación AEC Q101 para automoción

Encapsulado verde (compatible con RoHS)

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