MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 9 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
217-2542
Nº ref. fabric.:
IPN60R360P7SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

SOT-223

Serie

IPN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

111W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

8.8 mm

Altura

1.1mm

Longitud

8.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 Superjunction (SJ) está diseñado para hacer frente a los retos típicos del mercado de SMPS de baja potencia, ofreciendo un excelente rendimiento y facilidad de uso, lo que permite mejorar los factores de forma y la competitividad de precios. El encapsulado SOT-223 es una alternativa rentable de conexión uno a uno a DPAK que también permite reducir el tamaño en algunos diseños. Se puede colocar en un tamaño DPAK típico y muestra un rendimiento térmico comparable. Esta combinación convierte al CoolMOS™ P7 en SOT-223 en un ajuste perfecto para sus aplicaciones de destino.

Tecnología de superunión de rendimiento óptimo

Solución de paquete rentable

La mejor relación precio/rendimiento de su clase

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