MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN70R1K4P7SATMA1, VDSS 700 V, ID 4 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2546
- Nº ref. fabric.:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*
22,50 €
(exc. IVA)
27,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponibilidad de stock no accesible
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,45 € | 22,50 € |
| 100 - 200 | 0,347 € | 17,35 € |
| 250 - 450 | 0,324 € | 16,20 € |
| 500 - 1200 | 0,301 € | 15,05 € |
| 1250 + | 0,279 € | 13,95 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2546
- Nº ref. fabric.:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 Superjunction (SJ) está diseñado para hacer frente a los retos típicos del mercado de SMPS de baja potencia, ofreciendo un excelente rendimiento y facilidad de uso, lo que permite mejorar los factores de forma y la competitividad de precios. El encapsulado SOT-223 es una alternativa rentable de conexión uno a uno a DPAK que también permite reducir el tamaño en algunos diseños. Se puede colocar en un tamaño DPAK típico y muestra un rendimiento térmico comparable. Esta combinación convierte al CoolMOS™ P7 en SOT-223 en un ajuste perfecto para sus aplicaciones de destino.
Tecnología de superunión de rendimiento óptimo
Solución de paquete rentable
La mejor relación precio/rendimiento de su clase
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines