MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R040C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2557
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R040C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
8,76 €
(exc. IVA)
10,60 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 10 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,76 € |
| 10 - 24 | 8,05 € |
| 25 - 49 | 7,54 € |
| 50 - 99 | 7,01 € |
| 100 + | 6,48 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2557
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R040C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 107nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 227W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 29.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.57 mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 107nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 227W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 29.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.57 mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie MOSFET de superunión (SJ) CoolMOS™ C7 600V ofrece una reducción de ∼50 % en pérdidas de desconexión (E OSS ) en comparación con el CoolMOS™ CP, ofreciendo un excelente nivel de rendimiento en PFC, TTF y otras topologías de conmutación dura. El IPL60R185C7 es también el complemento perfecto para diseños de cargador de alta densidad de potencia. Las aplicaciones de eficiencia y TCO (coste total de propiedad) como los hipercentros de datos y los rectificadores de telecomunicaciones de alta eficiencia (>96%) se benefician de la mayor eficiencia que ofrece CoolMOS™ C7. Se pueden conseguir ganancias del 0,3 % al 0,7 % en topologías PFC y del 0,1 % en LLC. En el caso de una fuente de alimentación de servidor de 2,5 kW, por ejemplo, el uso de MOSFET CoolMOS™ C7 SJ 600V en un encapsulado TO-247 4pin puede dar lugar a reducciones de coste de energía de ∼10% para pérdida de energía de fuente de alimentación.
Parámetros de pérdida de conmutación reducida como Q G, C oss, E oss
Mejor factor de mérito de su clase Q G*R DS(on)
Frecuencia de conmutación aumentada
Mejor R (on)*A del mundo
Diodo de cuerpo resistente
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines