MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 22.4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2562
- Nº ref. fabric.:
- IPP65R150CFDAAKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2562
- Nº ref. fabric.:
- IPP65R150CFDAAKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS CFDA | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 195.3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 41.42mm | |
| Anchura | 5.21 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie CoolMOS CFDA | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 195.3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 41.42mm | ||
Anchura 5.21 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 16.13mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET Infineon CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) 650V es la segunda generación de MOSFET de potencia CoolMOS™ de alta tensión con calificación para automoción líder del mercado. Además de los atributos conocidos de alta calidad y fiabilidad requeridos por la industria automotriz, la serie 650V CoolMOS™ CFDA también proporciona un diodo de cuerpo rápido integrado.
Primera tecnología de automoción con calificación 650V con diodo de cuerpo rápido integrado en el mercado
Sobreimpulso de tensión limitada durante conmutación dura: Di/dt de limitación automática y dv/dt
Valor de carga de puerta bajo Q g
q rr bajo en conmutación repetitiva en diodo de cuerpo & Q OSS bajo
Encendido reducido y tiempos de retardo de giro
Conforme al estándar AEC Q101
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