MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 22.4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
217-2562
Nº ref. fabric.:
IPP65R150CFDAAKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

22.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS CFDA

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

195.3W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

41.42mm

Longitud

16.13mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.21 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET Infineon CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) 650V es la segunda generación de MOSFET de potencia CoolMOS™ de alta tensión con calificación para automoción líder del mercado. Además de los atributos conocidos de alta calidad y fiabilidad requeridos por la industria automotriz, la serie 650V CoolMOS™ CFDA también proporciona un diodo de cuerpo rápido integrado.

Primera tecnología de automoción con calificación 650V con diodo de cuerpo rápido integrado en el mercado

Sobreimpulso de tensión limitada durante conmutación dura: Di/dt de limitación automática y dv/dt

Valor de carga de puerta bajo Q g

q rr bajo en conmutación repetitiva en diodo de cuerpo & Q OSS bajo

Encendido reducido y tiempos de retardo de giro

Conforme al estándar AEC Q101

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