MOSFET, N-Canal Infineon IPP65R150CFDAAKSA1, VDSS 650 V, ID 22.4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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217-2563
Nº ref. fabric.:
IPP65R150CFDAAKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

22.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS CFDA

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

195.3W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.21mm

Longitud

16.13mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

41.42mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET Infineon CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) 650V es la segunda generación de MOSFET de potencia CoolMOS™ de alta tensión con calificación para automoción líder del mercado. Además de los atributos conocidos de alta calidad y fiabilidad requeridos por la industria automotriz, la serie 650V CoolMOS™ CFDA también proporciona un diodo de cuerpo rápido integrado.

Primera tecnología de automoción con calificación 650V con diodo de cuerpo rápido integrado en el mercado

Sobreimpulso de tensión limitada durante conmutación dura: Di/dt de limitación automática y dv/dt

Valor de carga de puerta bajo Q g

q rr bajo en conmutación repetitiva en diodo de cuerpo & Q OSS bajo

Encendido reducido y tiempos de retardo de giro

Conforme al estándar AEC Q101

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