MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW60R120P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
217-2587
Nº ref. fabric.:
IPW60R120P7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

CoolMOS P7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

120mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

95W

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.21mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.13mm

Altura

41.42mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 SuperJunction (SJ) 600V es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)

Resistencia de puerta R G integrada

Diodo de cuerpo resistente

Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante

Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial

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