MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 190 A, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
217-2641
Nº ref. fabric.:
IRLS4030TRL7PP
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

190A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.1mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

140nC

Disipación de potencia máxima Pd

370W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.35mm

Anchura

4.55 mm

Altura

15.3mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 100V de MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado D2-Pak de 7 contactos.

Optimizado para accionamiento de nivel lógico

RDS(ON) muy baja a 4,5 V VGS

R*Q superior a 4,5 V VGS I

Puerta mejorada, avalancha y resistencia dinámica a DV/dt

Capacitancia completamente caracterizada y SOA de avalancha

Diodo de cuerpo DV/dt y capacidad di/dt mejorados

Sin plomo

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