MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB013N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 190 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
262-5848
Nº ref. fabric.:
IPB013N06NF2SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

190A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.15mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia de canal N de Infineon está optimizado para una amplia gama de aplicaciones y se ha probado al 100 por ciento contra avalanchas.

Chapado de cable sin plomo

Conformidad con RoHS

Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21

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