MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 319 V, ID 190 A, TO-263 de 16 pines

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Código RS:
260-2669
Nº ref. fabric.:
IPTC039N15NM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

190A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

319V

Serie

IPT

Encapsulado

TO-263

Número de pines

16

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.9mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

74nC

Tensión directa Vf

0.81V

Disipación de potencia máxima Pd

319W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.35mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS

Longitud

10.1mm

Anchura

10.3 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon proporciona un encapsulado de refrigeración para un rendimiento térmico superior con un innovador encapsulado combinado con las características clave de la tecnología que permite los mejores productos de su clase, así como una alta corriente nominal para diseños de alta densidad de potencia.

Mayor eficiencia del sistema que permite una mayor duración de la batería

Alta densidad de potencia

Rendimiento térmico superior

Ahorro en el sistema de refrigeración

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