MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 190 A, Mejora, TO-263 de 8 pines

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Código RS:
168-6011
Nº ref. fabric.:
IRFS4010TRL7PP
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

190A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

380W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

150nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.67mm

Altura

4.83mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon


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