MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 6.6 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 218-2993
- Nº ref. fabric.:
- IPA50R950CEXKSA2
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
12,65 €
(exc. IVA)
15,30 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 250 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,253 € | 12,65 € |
| 100 - 200 | 0,197 € | 9,85 € |
| 250 - 450 | 0,185 € | 9,25 € |
| 500 - 1200 | 0,172 € | 8,60 € |
| 1250 + | 0,159 € | 7,95 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 218-2993
- Nº ref. fabric.:
- IPA50R950CEXKSA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 950mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 16.15mm | |
| Altura | 29.75mm | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 950mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 16.15mm | ||
Altura 29.75mm | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon 500V CoolMOS™ serie CE de MOSFET de potencia de canal N. CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Proporciona todas las ventajas de un MOSFET SuperJunction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y.
ofrece la mejor relación coste-rendimiento disponible en el mercado.
Resistencia a conmutación muy alta
Fácil de usar/conducir
Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 500 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V TO-220
- MOSFET Infineon ID 6.6 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET VDSS 500 V TO-220
- MOSFET VDSS 500 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon IRFI4212H-117PXKMA1 ID 6.6 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET VDSS 500 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-220 de 3 pines