MOSFET Infineon IRFI4212H-117PXKMA1, VDSS 100 V, ID 6.6 A, TO-220 de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
258-3978
Nº ref. fabric.:
IRFI4212H-117PXKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

58mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Encapsulado de medio puente integrado

Alta eficiencia y THD

EMI baja

Respetuoso con el medio ambiente

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