MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFI4212H-117PXKMA1, VDSS 100 V, ID 11 A, Mejora, TO-220 de 5 pines

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Código RS:
258-3978
Nº ref. fabric.:
IRFI4212H-117PXKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

72.50mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 11 A - IRFI4212H-117PXKMA1


Este MOSFET de canal N es un transistor de potencia de montaje en superficie diseñado para conmutación y amplificación en sistemas electrónicos industriales. Funciona en un amplio rango de temperaturas y cumple los límites ambientales de la directiva RoHS, por lo que es adecuado para instalaciones que requieren componentes sin plomo y una amplia tolerancia térmica.

Características y ventajas:


• La baja resistencia de encendido reduce las pérdidas por conducción
• La alta tensión nominal admite carriles de alimentación elevados
• La carga de puerta moderada permite transiciones de conmutación más rápidas
• El encapsulado de cinco terminales simplifica el montaje y las conexiones
• La amplia capacidad de temperatura mantiene el funcionamiento en condiciones extremas

Aplicaciones


• Apto para módulos de conversión de potencia en equipos industriales
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento por motor que requieren una corriente de 11 A
• Se utiliza con configuraciones de interruptor de alta tensión de hasta 100 V
• Adecuado para conjuntos que necesitan encapsulado TO‐220 de montaje en superficie
• Se utiliza para entornos sometidos a tensiones térmicas de –55 a 150 °C

¿Cuál es la polaridad del canal?


Utiliza un modo de mejora de canal N para la conducción de electrones.

¿Cómo afecta la demanda de accionamiento de puerta a la conmutación?


La carga de puerta típica es de 12 nC a la tensión de puerta nominal, lo que influye en el tamaño del controlador y la velocidad de conmutación.

¿Qué tensiones eléctricas puede soportar el dispositivo entre el drenaje y la fuente?


Tiene un valor nominal de 100 V entre el drenaje y la fuente en las condiciones especificadas máximas.

¿Qué encapsulado y método de montaje se proporcionan?


Se suministra en un encapsulado TO‐220 diseñado para montaje en superficie.

¿Qué característica de limitación define la eficiencia de conducción?


La resistencia máxima de conexión de drenaje-fuente es de 72,50 mΩ, lo que afecta a las pérdidas de conducción con alta corriente.

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