MOSFET Infineon IRFI4020H-117PXKMA1, VDSS 200 V, ID 9.1 A, TO-220 de 5 pines

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Código RS:
258-3976
Nº ref. fabric.:
IRFI4020H-117PXKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

MOSFET de canal N doble

Alta densidad de potencia

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