MOSFET Infineon IRFI4019H-117PXKMA1, VDSS 150 V, ID 8.7 A, TO-220 de 5 pines
- Código RS:
- 258-3974
- Nº ref. fabric.:
- IRFI4019H-117PXKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
6,16 €
(exc. IVA)
7,46 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,08 € | 6,16 € |
| 20 - 48 | 2,76 € | 5,52 € |
| 50 - 98 | 2,575 € | 5,15 € |
| 100 - 198 | 2,39 € | 4,78 € |
| 200 + | 2,225 € | 4,45 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3974
- Nº ref. fabric.:
- IRFI4019H-117PXKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El medio puente de MOSFET de audio digital Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio de clase D. Consta de dos interruptores MOSFET de potencia conectados en configuración de medio puente. El último proceso se utiliza para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Además, la carga de puerta, la recuperación inversa del diodo del cuerpo y la resistencia de puerta interna están optimizadas para mejorar los factores de rendimiento clave del amplificador de audio de clase D, como eficiencia, THD y EMI. Estos se combinan para hacer de este medio puente un dispositivo muy eficiente, robusto y fiable para aplicaciones de amplificador de audio de clase D.
RDS(on) bajo
MOSFET de canal N doble
Encapsulado de medio puente integrado
Qrr bajo
Respetuoso con el medio ambiente
Alta densidad de potencia
Diseño integrado
Ahorro de placa
EMI baja
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon ID 8.7 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET Infineon IRFI4212H-117PXKMA1 ID 6.6 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET Infineon IRFI4020H-117PXKMA1 ID 9.1 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET Infineon ID 6.6 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET Infineon ID 9.1 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET VDSS 950 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 150 A, TO-220