MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 11 A, Mejora, TO-220 de 5 pines
- Código RS:
- 258-3977
- Nº ref. fabric.:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Consigue un descuento por cantidad
Añade 100 más para ahorrar un 19%
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
76,30 €
(exc. IVA)
92,30 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 800 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* | Ahorro |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,526 € | 76,30 € | - |
| 100 - 200 | 1,236 € | 61,80 € | 19% |
| 250 - 450 | 1,16 € | 58,00 € | 23% |
| 500 - 950 | 1,099 € | 54,95 € | 27% |
| 1000 + | 1,053 € | 52,65 € | 30% |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3977
- Nº ref. fabric.:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 72.50mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 72.50mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 11 A - IRFI4212H-117PXKMA1
Este MOSFET de canal N es un transistor de potencia de montaje en superficie diseñado para conmutación y amplificación en sistemas electrónicos industriales. Funciona en un amplio rango de temperaturas y cumple los límites ambientales de la directiva RoHS, por lo que es adecuado para instalaciones que requieren componentes sin plomo y una amplia tolerancia térmica.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de encendido reduce las pérdidas por conducción
• La alta tensión nominal admite carriles de alimentación elevados
• La carga de puerta moderada permite transiciones de conmutación más rápidas
• El encapsulado de cinco terminales simplifica el montaje y las conexiones
• La amplia capacidad de temperatura mantiene el funcionamiento en condiciones extremas
• La alta tensión nominal admite carriles de alimentación elevados
• La carga de puerta moderada permite transiciones de conmutación más rápidas
• El encapsulado de cinco terminales simplifica el montaje y las conexiones
• La amplia capacidad de temperatura mantiene el funcionamiento en condiciones extremas
Aplicaciones
• Apto para módulos de conversión de potencia en equipos industriales
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento por motor que requieren una corriente de 11 A
• Se utiliza con configuraciones de interruptor de alta tensión de hasta 100 V
• Adecuado para conjuntos que necesitan encapsulado TO‐220 de montaje en superficie
• Se utiliza para entornos sometidos a tensiones térmicas de –55 a 150 °C
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento por motor que requieren una corriente de 11 A
• Se utiliza con configuraciones de interruptor de alta tensión de hasta 100 V
• Adecuado para conjuntos que necesitan encapsulado TO‐220 de montaje en superficie
• Se utiliza para entornos sometidos a tensiones térmicas de –55 a 150 °C
¿Cuál es la polaridad del canal?
Utiliza un modo de mejora de canal N para la conducción de electrones.
¿Cómo afecta la demanda de accionamiento de puerta a la conmutación?
La carga de puerta típica es de 12 nC a la tensión de puerta nominal, lo que influye en el tamaño del controlador y la velocidad de conmutación.
¿Qué tensiones eléctricas puede soportar el dispositivo entre el drenaje y la fuente?
Tiene un valor nominal de 100 V entre el drenaje y la fuente en las condiciones especificadas máximas.
¿Qué encapsulado y método de montaje se proporcionan?
Se suministra en un encapsulado TO‐220 diseñado para montaje en superficie.
¿Qué característica de limitación define la eficiencia de conducción?
La resistencia máxima de conexión de drenaje-fuente es de 72,50 mΩ, lo que afecta a las pérdidas de conducción con alta corriente.
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon IRFI4212H-117PXKMA1 ID 6.6 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET Infineon ID 9.1 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET Infineon ID 8.7 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET Infineon IRFI4020H-117PXKMA1 ID 9.1 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET Infineon IRFI4019H-117PXKMA1 ID 8.7 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET VDSS 500 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 150 A, TO-220