MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA50R950CEXKSA2, VDSS 500 V, ID 6.6 A, N, TO-220 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
218-2994
Nº ref. fabric.:
IPA50R950CEXKSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-220

Serie

500V CoolMOS CE

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

950mΩ

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.4nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

0.83V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

16.15mm

Anchura

4.9 mm

Altura

29.75mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 500V CoolMOS™ serie CE de MOSFET de potencia de canal N. CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Proporciona todas las ventajas de un MOSFET SuperJunction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y.

ofrece la mejor relación coste-rendimiento disponible en el mercado.

Resistencia a conmutación muy alta

Fácil de usar/conducir

Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos

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