MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 166 A, N, TO-263 de 3 pines

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

1.874,00 €

(exc. IVA)

2.268,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 01 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 +1,874 €1.874,00 €

*precio indicativo

Código RS:
218-3026
Nº ref. fabric.:
IPB027N10N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

166A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.7mΩ

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Infineon OptiMOS™ 5 100V Power MOSFET. Se ha diseñado especialmente para rectificación síncrona en bloques de telecomunicaciones incluidos OR-ing, intercambio en caliente y protección de batería, así como para aplicaciones de fuente de alimentación de servidor.

RDS(on) de resistencia de conexión muy baja

Canal N, nivel normal

100 % a prueba de avalancha

Chapado sin plomo

Enlaces relacionados