MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 166 A, N, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
258-3788
Nº ref. fabric.:
IPB024N08N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

166A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.4mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

0.92V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

99nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia industrial Infineon OptiMOS 5 de 80 V ofrece una reducción de RDS(on) del 43 % en comparación con las generaciones anteriores y es ideal para altas frecuencias de conmutación. Los dispositivos de esta familia están especialmente diseñados para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, también se pueden utilizar en otras aplicaciones industriales como accionamientos solares, de baja tensión y adaptadores.

Optimizado para rectificación síncrona

Ideal para alta frecuencia de conmutación

Menos paralelismo necesario

Mayor densidad de potencia

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