MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB024N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 166 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3789
- Nº ref. fabric.:
- IPB024N08N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,40 € |
| 10 - 24 | 3,12 € |
| 25 - 49 | 2,92 € |
| 50 - 99 | 2,70 € |
| 100 + | 2,51 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3789
- Nº ref. fabric.:
- IPB024N08N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 166A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.4mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 99nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Tensión directa Vf | 0.92V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 166A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.4mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 99nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Tensión directa Vf 0.92V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia industrial Infineon OptiMOS 5 de 80 V ofrece una reducción de RDS(on) del 43 % en comparación con las generaciones anteriores y es ideal para altas frecuencias de conmutación. Los dispositivos de esta familia están especialmente diseñados para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, también se pueden utilizar en otras aplicaciones industriales como accionamientos solares, de baja tensión y adaptadores.
Optimizado para rectificación síncrona
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Menos paralelismo necesario
Mayor densidad de potencia