MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 166 A, N, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
258-3790
Nº ref. fabric.:
IPB032N10N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

166A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.2mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

76nC

Disipación de potencia máxima Pd

187W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 5 de 100 V está especialmente diseñado para rectificación síncrona en bloques de telecomunicaciones, incluidos or-ing, intercambio en caliente y protección de batería, así como para aplicaciones de fuente de alimentación de servidor. El dispositivo tiene un RDS(on) inferior del 22% en comparación con dispositivos similares, uno de los mayores contribuyentes a este FOM líder del sector es la baja resistencia de estado encendido que proporciona el nivel más alto de densidad de potencia y eficiencia.

Pérdidas de conmutación y conducción reducidas

Menos paralelismo necesario

Mayor densidad de potencia

Desviación de tensión baja

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