MOSFET Infineon IPB017N10N5LFATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines

Código RS:: 214-4363
Nº ref. fabric.:: IPB017N10N5LFATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB017N10N5LFATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

4,57 €

(exc. IVA)

5,53 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 +	4,57 €	4.570,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 214-4363
Nº ref. fabric.:: IPB017N10N5LFATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

IPB017N10N5LFATMA1 Datasheet

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Combina un bajo RDS(on) con un amplio área de funcionamiento segura (SOA)

El FET lineal OptiMOSTM es un enfoque revolucionario para evitar el compromiso entre la resistencia de estado encendido (R DS(on)) y la capacidad de modo lineal: funcionamiento en la región de saturación de un MOSFET de modo mejorado. Ofrece el R DS(on) de última generación de un MOSFET de trinchera junto con el amplio área de funcionamiento segura de un MOSFET planar clásico.

Resumen de las características

•Combinación de DS(on) de baja R y amplio área de funcionamiento segura (SOA)

•Corriente de impulso máx. alta

•Corriente de pulso continua de alta intensidad

Ventajas

•Funcionamiento de modo lineal robusto

•Bajas pérdidas de conducción

•Corriente de arranque más alta habilitada para un arranque más rápido y un tiempo de inactividad más corto

Aplicaciones potenciales

•Telecom

•Gestión de baterías

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK-7
Serie	OptiMOS™
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0.0017 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima	4.1V
Número de Elementos por Chip	1