MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB014N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 180 A, N, TO-263

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
259-1541
Nº ref. fabric.:
IPB014N06NATMA1
Fabricante:
Infineon
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia de productos de 25 V optimos de Infineon, Infineon establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética para MOSFET de potencia discretos y sistema en encapsulado. La carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la resistencia de encendido más baja en encapsulados pequeños, convierten a optimos de 25 V en la mejor elección para los requisitos exigentes de soluciones de regulador de tensión en aplicaciones de servidores, comunicaciones de datos y telecomunicaciones. Disponible en configuración de medio puente (etapa de potencia 5 x 6).

Modo de mejora de canal N

Certificación AEC

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Producto ecológico (conforme con RoHS)

Rds(on) ultrabajo

100 % probado contra avalanchas

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