MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB017N10N5LFATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, N, TO-263 de 7 pines

Código RS:: 214-4364
Nº ref. fabric.:: IPB017N10N5LFATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB017N10N5LFATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, N, TO-263 de 7 pines

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Código RS:: 214-4364
Nº ref. fabric.:: IPB017N10N5LFATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	180A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	TO-263
	Serie	OptiMOS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.7mΩ
	Modo de canal	N
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	195nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	313W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	10.31mm
	Anchura	9.45 mm
	Altura	4.57mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 180A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado TO-263
	Serie OptiMOS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ
	Modo de canal N
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 195nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 313W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 10.31mm
	Anchura 9.45 mm
	Altura 4.57mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

IPB017N10N5LFATMA1 Datasheet

Combina un bajo RDS(on) con un amplio área de funcionamiento segura (SOA)

El FET lineal OptiMOSTM es un enfoque revolucionario para evitar el compromiso entre la resistencia de estado encendido (R DS(on)) y la capacidad de modo lineal: funcionamiento en la región de saturación de un MOSFET de modo mejorado. Ofrece el R DS(on) de última generación de un MOSFET de trinchera junto con el amplio área de funcionamiento segura de un MOSFET planar clásico.

Resumen de las características

•Combinación de DS(on) de baja R y amplio área de funcionamiento segura (SOA)

•Corriente de impulso máx. alta

•Corriente de pulso continua de alta intensidad

Ventajas

•Funcionamiento de modo lineal robusto

•Bajas pérdidas de conducción

•Corriente de arranque más alta habilitada para un arranque más rápido y un tiempo de inactividad más corto

Aplicaciones potenciales

•Telecom

•Gestión de baterías