MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-263

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Código RS:
257-5574
Nº ref. fabric.:
IRLS4030TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.3mΩ

Tensión directa Vf

1.3V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon está optimizado para accionamiento de nivel lógico, RDS muy bajo a 4,5 V VGS, accionamiento de motor dc utilizado, rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad, circuitos conmutados rígidos y de alta frecuencia.

R*Q superior a 45 V VGS

Resistencia dV/dt dinámica, avalancha y puerta mejorada

SOA de avalancha y capacitancia completamente caracterizado

Capacidad de diodo de cuerpo dV/dt y dI/dt mejorada

Sin plomo

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