MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB180N04S4H0ATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
218-3036
Nº ref. fabric.:
IPB180N04S4H0ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOS™-T2. Tiene un tipo de encapsulado TO263-7-3 .

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

RDS(on) ultrabajo

Prueba de avalancha al 100 %

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