MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB180N04S4H0ATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 218-3036
- Nº ref. fabric.:
- IPB180N04S4H0ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
16,26 €
(exc. IVA)
19,675 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 440 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 3,252 € | 16,26 € |
| 10 - 20 | 3,088 € | 15,44 € |
| 25 - 45 | 2,784 € | 13,92 € |
| 50 + | 2,764 € | 13,82 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 218-3036
- Nº ref. fabric.:
- IPB180N04S4H0ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOS™-T2. Tiene un tipo de encapsulado TO263-7-3 .
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
RDS(on) ultrabajo
Prueba de avalancha al 100 %
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 7 pines