MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.915,00 €

(exc. IVA)

2.317,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2500 unidad(es) más para enviar a partir del 27 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,766 €1.915,00 €

*precio indicativo

Código RS:
218-3054
Nº ref. fabric.:
IPD90N10S4L06ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

90A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS-T2

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

75nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Infineon OptiMOS™-T2 de potencia de canal N. Presenta bajas pérdidas de potencia de conducción y conmutación para alta eficiencia térmica.

Canal N - Modo de mejora

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Enlaces relacionados