MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD90N10S4L06ATMA1, VDSS 100 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
218-3055
Nº ref. fabric.:
IPD90N10S4L06ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

90A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

75nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Anchura

6.22 mm

Altura

2.41mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Infineon OptiMOS™-T2 de potencia de canal N. Presenta bajas pérdidas de potencia de conducción y conmutación para alta eficiencia térmica.

Canal N - Modo de mejora

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

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