MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 324 A, SuperSO

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Código RS:
218-3103
Nº ref. fabric.:
IRFH8201TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

324A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SuperSO

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

950mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6mm

Anchura

5 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.9mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N sencillo Infineon de la serie HEXFET. Se utiliza principalmente en inversores de motor dc alimentados por batería.

Compatible con técnicas de montaje en superficie existentes

Baja resistencia térmica a PCB (<0,8 °C/W)

Conformidad con RoHS, sin halógenos

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