MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPB019N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
220-7376
Nº ref. fabric.:
IPB019N08N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon OptiMOS es líder del mercado en soluciones muy eficientes para generación de energía (por ejemplo, microinversor solar), fuente de alimentación (por ejemplo, servidor y telecomunicaciones) y consumo de energía (por ejemplo, vehículo eléctrico).

Tecnología optimizada para convertidores dc-dc

Excelente carga de compuerta por producto R DS(ON) (FOM)

Resistencia térmica superior

Refrigeración de doble cara

Inductancia parásita baja

Perfil bajo (<0,7 mm)

Canal N, nivel normal

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