MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPB033N10N5LFATMA1, VDSS 100 V, ID 170 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
220-7380
Nº ref. fabric.:
IPB033N10N5LFATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

170A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS 5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El FET lineal Infineon OptiMOS es un enfoque revolucionario para evitar el equilibrio entre resistencia de estado de conexión (R DS(on)) y capacidad de modo lineal: Funcionamiento en la región de saturación de un MOSFET de modo mejorado. Ofrece el R DS(on) de vanguardia de un MOSFET Trench junto con el amplio área de funcionamiento seguro de un MOSFET planar clásico.

Combinación de R DS(on) bajo y área de funcionamiento segura amplia (SOA)

Corriente de impulso máx. Alta

Corriente de impulso continuo alta

Funcionamiento en modo lineal resistente

Bajas pérdidas de conducción

Mayor corriente de entrada activada para un arranque más rápido y una reducción de la corriente tiempo

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